Corso Elettronica dei Sistemi Wireless AA 2018/19

1. LNA doppio stadio: bipolare (HBT)-CMOS.
   Specifiche: impedenze di sorgente e carico pari a 50 Ω, tensione di alimentazione pari a 3 V, banda 5,150-5,350 GHz (frequenza centrale 5,250 GHz) e consumo di potenza pari a 15 mW.
   Obiettivi: Si cerchi di minimizzare la cifra di rumore e massimizzare il guadagno di trasduttore, garantendo un punto di compressione a 1 dB in ingresso e un punto di intecetta del terzo ordine in ingresso superiori a -20 dBm e -10 dBm, rispettivamente. Ripetere il dimensionamento e la caratterizzazione dell'LNA progettato, supponendo un consumo di potenza doppio pari a 30 mW. Confrontare i risultati ottenuti con quelli dell'LNA singolo stadio bipolare e doppio stadio CMOS [link].
   Gruppo: Aldo Bakijasi, Stefano di Matteo
   
   
2. LNA doppio stadio: bipolare (HBT)-bipolare [link]
   Specifiche: impedenze di sorgente e carico pari a 50 Ω, tensione di alimentazione pari a 3 V, banda 5,150-5,350 GHz (frequenza centrale 5,250 GHz) e consumo di potenza pari a 15 mW.
   Obiettivi: Si cerchi di minimizzare la cifra di rumore e massimizzare il guadagno di trasduttore, garantendo un punto di compressione a 1 dB in ingresso e un punto di intecetta del terzo ordine in ingresso superiori a -20 dBm e -10 dBm, rispettivamente. Ripetere il dimensionamento e la caratterizzazione dell'LNA progettato, supponendo un consumo di potenza doppio pari a 30 mW. Confrontare i risultati ottenuti con quelli dell'LNA singolo stadio bipolare e doppio stadio CMOS [link].
   Gruppo: Alessandro Paghi
   
   
3. Mixer doppiamente bilanciato CMOS [link]
   Gruppo: Simone Cammarata, Giulio Fieramosca
   
   
4. Power Amplifier bipolare [link][link]
   Gruppo: Andrea Guatteri, Andrea Romani
   
   
5. LNA doppio stadio CMOS
   Gruppo: Luca Di Domenico, Marco Zeni
   Specifiche: impedenze di sorgente e carico pari a 50 Ω, tensione di alimentazione pari a 3 V, banda 2,400-2,4835 GHz (frequenza centrale 2,440 GHz) e consumo di potenza pari a 15 mW.
   Obiettivi: Si cerchi di minimizzare la cifra di rumore e massimizzare il guadagno di trasduttore, garantendo un punto di compressione a 1 dB in ingresso e un punto di intecetta del terzo ordine in ingresso superiori a -20 dBm e -10 dBm, rispettivamente. Ripetere il dimensionamento e la caratterizzazione dell'LNA progettato, supponendo un consumo di potenza doppio pari a 30 mW. Confrontare i risultati ottenuti con quelli dell'LNA singolo stadio CMOS.
   
   
6. VCO CMOS [link]
   Gruppo: aaa, bbb